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智存未来 芯启时代:新存科技AI时代扬帆起航

2026-05-28 17:07:59      西盟科技资讯   


  在AI技术爆发、数字经济奔腾向前的时代,数据存储作为算力的核心底座,正迎来颠覆性变革。新存科技(武汉)有限责任公司,这家扎根武汉光谷的国产三维相变存储器(3D PCM)芯片领军企业,以技术为帆、创新为桨,在AI浪潮中乘风破浪,扛起国产高端存储自主可控的大旗,书写属于中国存储的奋进篇章。

  2022年7月29日,武汉新存在武汉东湖高新区未来科技城龙山创新园正式成立,注册资本1785.75万元。诞生之初,武汉新存便锚定“国产三维相变存储器芯片设计、研发与制造”的核心定位,深耕3D PCM这一前沿赛道。作为高新企业、专精特新企业及瞪羚企业,武汉新存自成立起就备受关注,短短数年完成A/A+/A++/B轮融资,累计融资超10亿元,汇聚产业资本与专业创投的合力,为技术研发与产能建设注入强劲动能。

  AI领域的跨越式发展,对存储芯片提出了高速度、大容量、低延迟、长寿命的极致要求。传统存储芯片难以适配AI训练、大数据中心、云计算等场景的高强度需求,而三维相变存储器(3D PCM)凭借独特的技术原理,成为破解存储瓶颈的关键方案。武汉新存精准洞察行业痛点,组建以鞠韶复为核心的研发团队,潜心钻研,攻克三维堆叠、相变材料、芯片架构等一系列核心难题,打破国际巨头的技术垄断。

  技术深耕终结硕果,武汉新存的NM系列3D PCM芯片,接连实现国产存储的历史性突破。2024年9月,NM101重磅发布,这是国产首款64Gb三维相变存储芯片,采用创新三维堆叠技术,单颗芯片集成百亿级非易失性存储器件,支持随机读写,读写速度较国内同类产品提升10倍以上,寿命增加5倍,彻底终结国产大容量3D PCM芯片空白的历史。2025年1月,NM102迭代问世,容量升级至128Gb,最高速率达3200MT/s,可满足企业级与消费级高性能存储的多元需求,树立国产高端存储新标杆。

  硬核产品背后,是扎实的技术壁垒与专利布局。截至目前,武汉新存已积累273项专利,其中国际专利60项、中国专利213项,构建起全自主三维集成技术体系,绕开国际专利壁垒,牢牢掌握技术自主权。凭借领先技术,武汉新存成为国内唯一实现64Gb级3D PCM量产的企业,跻身全球第二梯队,仅次于三星、美光等国际巨头,让中国在新型存储领域拥有了话语权。

  立足技术优势,武汉新存精准赋能AI时代核心场景。从AI服务器、数据中心到云计算、嵌入式存储,从企业级高性能存储到消费级终端设备,NM系列芯片以高带宽、低延迟、高可靠性的特性,完美适配AI大模型训练、海量数据实时处理等核心需求。目前,公司产品已进入华为、阿里、腾讯等头部企业供应链测试,还荣获华为奥林帕斯先锋奖,凭借过硬品质获得行业认可,助力国产AI算力生态自主可控。

  扎根武汉光谷,武汉新存的成长离不开区域产业沃土的滋养。作为“世界光谷”,武汉东湖高新区聚焦存储器芯片、三维集成等核心领域,出台系列专项政策,设立专项资金,支持企业突破关键核心技术,打造“世界存储之都”。从厂房建设到人才引育,从政策补贴到产业协同,光谷的全链条支持,为武汉新存建设12万片/年3D PCM产线、实现量产良率65%提供了坚实保障。如今,武汉新存已形成从芯片设计、研发到制造的完整产业链,朝着世界一流的目标稳步迈进。

  从技术突围到产业落地,从单点突破到生态共建,武汉新存的每一步,都彰显着国产半导体企业的坚守与担当。面对AI时代的无限机遇与全球竞争的严峻挑战,武汉新存将继续以创新为核心,持续迭代3D PCM技术,丰富产品矩阵,扩大产能规模,深化与产业链上下游的协同合作,构建自主可控、开放共赢的国产新型存储生态。

  潮涌AI时代,风好正扬帆。武汉新存科技,以自主创新为舵,以硬核产品为帆,在国产高端存储的新征程上勇毅前行,助力中国半导体产业打破垄断、弯道超车,为数字中国建设注入强劲“芯”动力,在全球存储舞台上绽放中国力量!

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