2026-10-14 13:27:44 中华网
近日,长鑫存储第五代DRAM技术平台(G5)正式实现全面量产。此次落地并非简单的参数迭代、常规性能升级,而是国产高端DRAM领域一次里程碑式的平台级跨越,彻底打破了全球存储行业长期由海外巨头垄断技术标准的格局,正式开启中国存储企业参与全球DRAM下一代技术规则制定的全新竞争格局。
不同于单一芯片技术的优化,DRAM技术平台是一套涵盖制程工艺、核心IP、研发体系、供应链协同的完整标准化体系,其核心竞争力体现在工艺精度、性能功耗、稳定量产、生态适配的全方位平衡。当前全球DRAM行业竞争早已告别单品比拼的初级阶段,头部厂商的核心较量,聚焦于下一代行业通用技术标准、工艺规则与产业生态的定义权,而长鑫G5的量产,正是国产存储抢占这一核心赛道的关键一步。
微缩工艺硬核突破,刷新国产DRAM精度新高度
本次G5量产最具行业突破性的核心指标,是11.95nm的有源区半间距工艺水准。作为衡量DRAM微缩精度的核心物理指标,有源区半间距数值越小,代表芯片单位面积可集成的存储单元越多,芯片容量密度、成本控制与量产性价比的上限越高。受制于高端设备进口受限的行业困境,长鑫并未依赖海外先进设备,而是通过自主研发打磨的自对准四重图形化(SAQP)四重曝光技术,攻克了高难度工艺整合难题,成功实现顶级微缩精度突破。这一成果标志着长鑫阵列微缩技术正式迈入全球第一梯队,打破了海外厂商在先进制程上的长期垄断。
重构电容工艺体系,筑牢DRAM核心性能壁垒
全球DRAM芯片均遵循1T1C的基础架构,1个晶体管负责开关选通,1个电容负责电荷存储,是数据读写的核心载体,而电容工艺一直是制约DRAM进阶的最大物理瓶颈。随着制程不断微缩,晶体管可实现横向缩小,但电容横向尺寸缩减会直接导致电荷存储量不足,引发数据留存失效、稳定性下降等问题。为此,行业通用破局思路为纵向深耕电容结构,长鑫在此领域实现极致突破。通过全新重构工艺流程、迭代配套核心材料,长鑫成功打造出45:1超高深宽比电容结构,以“窄口径、深纵深”的垂直设计,实现横向压缩尺寸、纵向保障储能的双重优势。这项技术突破,彻底解决了制程微缩与芯片性能的核心矛盾,构筑起远超行业常规水平的技术壁垒。
攻克漏电难题,刷新DRAM低功耗性能上限
晶体管微缩至物理极限后,量子隧穿效应引发的漏电、功耗飙升、性能衰减问题,是先进DRAM研发的核心难题。HKMG(高K金属栅极)技术是破解该痛点的关键,其依托高介电常数材料,可在同等物理厚度下强化电场控制,从根源抑制漏电问题,提升晶体管运行稳定性。此前HKMG技术仅广泛应用于逻辑芯片,系统性适配、整合落地DRAM工艺体系,是行业极少突破的技术盲区。长鑫针对性定制专属DRAM的HKMG工艺,将核心功能区整体高度压缩至6762nm,在存储单元极致微型化的前提下,有效稳住晶体管电气性能,大幅降低芯片功耗,完成了材料与器件结构的双重自主突破。
多技术协同迭代,打造平台级完整技术体系
长鑫G5量产的核心价值,绝非单一参数的亮眼突破,而是整条工艺链路、整套技术体系的全方位跃迁。除核心工艺突破外,G5平台同步完成界面工程优化、鞍形鳍式结构创新、低k间隔层位线落地等多项升级。存储单元的极致微缩,倒逼位线、字线同步迭代,推动新型间隔层材料落地,同时攻克了电容与晶体管工艺兼容、刻蚀沉积精准控制等量产难题,通过大规模量产完成全流程技术验证,实现各环节高度耦合、协同升级。
与此同时,长鑫在G5研发阶段搭建了覆盖设计、开发、制造、运维全生命周期的数字孪生系统,结合AI大模型完成全流程仿真研发,不仅大幅压缩研发周期、提升量产良率,更为后续技术迭代搭建了智能化、高效化的底层研发框架。从单点技术突围到平台体系全面成熟,从被动跟随技术标准到主动定义行业规则,长鑫G5的成功量产,不仅补齐了国产高端DRAM的技术短板,更让中国存储正式跻身全球技术标准博弈的核心赛场,为后续持续推动行业迭代、争夺全球DRAM游戏规则制定权奠定了坚实基础。
