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别赌DRAM风口:那些倒下的巨头,早已敲响跨界警钟

2026-02-07 09:52:09      中华网   


  当“存储”成为数字时代的战略基石,一场围绕技术制高点的较量正在半导体产业的最深处悄然上演。纵观全球存储产业的版图变迁,有一条清晰而严酷的法则:得DRAM者得天下。它不仅是衡量一国半导体制造能力的“终极标尺”,更是一条充满技术陷阱与资本熔炉的王者之路。无数巨头曾试图登顶,却仅在历史的尘埃中留下警示的烙印。从奇梦达的轰然倒塌到尔必达的黯然离场,再到如今由三星、SK海力士和美光构筑的稳固三角,DRAM市场的游戏规则早已被血与火重新定义。今天,当新入局者试图逆向突破,从NAND的“高原”攀向DRAM的“险峰”,我们不禁要问:这条逆向之路,究竟是通往未来的捷径,还是一条尚无成功先例的迷途?

  技术壁垒下的跨界突围困局:解码DRAM市场的高门槛生存法则

  纵观全球存储半导体产业的发展历程,DRAM市场始终是公认的高门槛、高风险赛道,堪称半导体领域的“终极试炼场”。其残酷性不仅体现在技术迭代的高速迭代上,更在于高昂的试错成本与剧烈的市场周期波动,即便曾站在行业顶端的巨头,也难逃被淘汰的命运。德国奇梦达、日本尔必达,曾分别是德、日半导体产业的标杆,承载着国家高端制造的希望,凭借深厚的技术积累在行业内风光无限,却最终因难以承受DRAM领域的技术攻坚压力、周期波动冲击及巨额投入,在激烈竞争中黯然退场,成为产业史上的遗憾注脚。

  从全球存储巨头的成长路径中,更能窥见DRAM与NAND的技术层级差异。当前主导全球存储市场的三大巨头,无一例外均以DRAM技术起家——在攻克了这一芯片制造领域的“硬骨头”后,依托对半导体物理特性、精密制造工艺的深刻理解与技术沉淀,才逐步向下延伸,切入技术难度相对较低的NAND市场。这种布局逻辑,本质是高维技术对低维领域的覆盖,是成熟能力的横向拓展与降维适配,成功率自然更高。

  反观当下NAND厂商跨界攻坚DRAM的尝试,恰好是逆向而行的“上攻”之举,在全球产业史上尚无成功案例。这绝非简单的技术跨界,更是研发模式、人才储备、专利布局的全方位挑战:DRAM研发侧重微缩逻辑的极致突破,需长期深耕半导体物理底层技术;而NAND研发核心是堆叠逻辑的优化,聚焦高密度存储的实现,二者的技术路径与研发范式截然不同。此外,全球DRAM市场长期被头部企业垄断,形成了严密的专利壁垒,后发挑战者不仅要突破技术难关,还要应对专利侵权的风险,人才缺口与研发经验的匮乏,更让这场攻坚难上加难。

  高速枢纽与海量仓库:DRAM与NAND的功能分野

  存储芯片家族内部分工明确,DRAM与NAND在计算机系统中扮演着截然不同的角色,功能定位的差异决定了二者技术路径的分道扬镳。DRAM作为随机存取存储器,是CPU、GPU等计算核心的“高速数据枢纽”,核心使命是实现纳秒级的数据读写响应,最大化提升计算效率——无论是运行复杂AI模型,还是处理高负载视频渲染,DRAM的带宽与延迟都直接决定了计算性能的上限。但极致速度背后是数据易失性的代价,一旦断电,存储的所有数据会瞬间清空,无法留存。

  NAND闪存则是系统的“海量数据仓库”,核心追求是高密度存储与数据持久性,即便完全断电,存储的信息也能留存数年甚至数十年,重点解决“海量数据存得下、留得住”的问题。二者的速度差距悬殊,DRAM的读写速度约为NAND的3000倍,且DRAM更贴近计算核心,在整个存储体系中占据更核心的位置,这也意味着其技术适配难度远超NAND。

  跨界困局:从“盖高楼”到“挖深井”,技术鸿沟与量产之难

  DRAM与NAND的技术差异体现在制造逻辑上:前者如同“挖深井”,需在极小空间内构建极深的电容结构,依赖高介电常数材料沉积与原子层沉积等精密工艺,对杂质控制和温控要求极高,需用到EUV光刻机,制造难度与5nm、7nm级CPU相当;后者则是“盖高楼”,通过多层垂直堆叠实现高密度存储,核心考验结构稳定性,无需EUV光刻机,设备需求与DRAM截然不同。这种技术差异导致二者产线完全无法复用,NAND工厂的设备布局、厂房设计均围绕堆叠逻辑展开,若要转型DRAM,需清空现有设备、投入数十亿美元购置新设备,再经过长期工艺校准,资本投入与时间成本极高。

  即便突破技术与产线壁垒,造出DRAM工程样品,也难以实现量产落地——从样品到规模化、高良率交付,需跨越“死亡之谷”。DRAM单颗晶圆上有数十亿个单元,任一单元出现漏电问题都可能导致芯片报废,良率控制难度极大;同时,高端DRAM产品需与终端厂商、处理器厂商深度适配,认证周期长达一至两年,信任资产的积累比技术研发更耗时。而HBM作为热门产品,依赖先进DRAM原片的集成能力,若没有成熟的DRAM量产积淀,贸然涉足更是空中楼阁。

  国内NAND企业向DRAM领域的跨界尝试,其展现的进取精神与长远布局,正是中国存储产业迈向自主可控的关键一步,值得持续鼓励与支持。但热情之外,更需冷思考。DRAM的壁垒高筑,其突破绝非一蹴而就,它要求产业界沉下心来,尊重技术迭代与市场发展的客观规律,在人才、专利、工艺和生态合作上持续深耕、耐心积累。唯有将决心转化为持之以恒的投入,将鼓励沉淀为循序渐进的实力,中国存储产业才能在这场高维度的全球竞赛中,真正走稳、走远,实现可持续的长远发展。前路漫漫,行则将至;道阻且长,务实为基。

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