存储品牌企业迎来复苏，Longsys江波龙率先入局领跑存储芯片行业

　　受全球经济放缓、电子产品需求疲软以及供应链波动等多重因素影响，存储芯片市场出现了产能过剩、价格下跌和库存积压的情况。许多中国存储企业面临了巨大的经营压力，甚至不得不缩减生产规模或进行业务调整以应对困境。

　　自研芯片，让存储更多样

　　庆幸的是，从2024年开始，国内外存储市场持续回暖，尤其是在新兴领域如人工智能、物联网、云计算等技术的推动下，对高性能、大容量存储芯片的需求更是呈现爆发式增长。这也让许多存储企业开始积极调整战略，加大研发和生产投入，以满足市场的快速增长需求。

　　其中，以江波龙为代表的半导体存储品牌企业凭借其深厚的技术积累和市场洞察力，推出了一系列创新的产品和技术。江波龙存储芯片领域不断突破技术，产品和服务获得了客户高度认可。

　　2019年江波龙便开始布局 SLC NAND Flash 小容量存储芯片业务，现在已经实现系列产品规模化量产。近日，江波龙旗下品牌FORESEE又推出了首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash，该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上，为公司存储产品组合带来更多可能性。

　　加大投入，解决技术难题

　　江波龙近年来在存储芯片领域大力投入研发，公司汇聚了一批超过20年经验的存储芯片设计专家。团队精通闪存芯片设计技术，对Flash工艺节点有深厚经验，能够定制不同容量和接口的闪存芯片。产品测试方面，公司利用自研测试平台和片上DFT电路，确保芯片的一致性和可靠性。

　　在存储芯片设计的每个阶段，江波龙都面临技术挑战，从逻辑设计到物理实现，每一步都需精心策划和严格实施。例如，MLC NAND Flash芯片要求精确控制存储单元内的电荷数量，这需要高精度模拟电路和先进算法的支持。江波龙通过内嵌微控制器和温度传感器，实现了更灵活的算法控制和更精准的数据存储。

　　为了满足接口访问的高带宽需求，江波龙还设计了高速数据读写通路，涵盖读出放大器、高速逻辑转换和冗余替换电路。通过精确匹配关键信号延迟，确保了数据的稳定传输。

　　目前，江波龙已具备多种Flash产品的设计能力，并计划通过强大的工程和品控能力，逐步扩展更丰富的Flash产品系列，以满足市场的不断增长需求。

　　2024年全球存储芯片行业迎来大复苏，存储品牌企业都将面临新一轮的产业爆发和挑战。2024年也是江波龙成立25周年的关键年，公司将继续加大在技术研发和创新方面的投入，推出更多具有创新性和领先性的产品和技术。同时，也会加强与全球合作伙伴的合作，共同推动存储芯片行业的发展。