英诺赛科荣膺2024全球电子成就奖，技术实力再获市场肯定

　　近日，由全球领先的技术机构媒体AspenCore主办的国际集成电路展览会暨研讨会(IIC)在深圳隆重举行!会上，英诺赛科自研的 SolidGaN ISG3202LA 产品被授予全球电子成就奖(WEAA)——最佳功率半导体/驱动器。

　　据悉，本次展会集结来自全球半导体产业链上下游头部厂商及新锐企业参展，精心设置IC设计与应用专区、分销商专区及半导体综合展区等行业高端展区，展示涵盖IC 设计、EDA/IP、物联网、AI、汽车电子、电源管理、智慧工业、无线技术等重大前沿新兴技术及产品、解决方案和市场应用，汇聚全球智慧，共同探索电子产业未来无限可能!

　　资料显示，全球电子成就奖(WEAA)是全球电子技术领域领先媒体集团AspenCore主办的年度全球性电子技术行业奖项，获奖者皆是由资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的全球网站用户群共同评选而来。WEAA作为全球电子技术与半导体领域最具权威性和影响力的奖项之一，旨在评选并表彰为推动全球电子产业发展和创新做出杰出贡献的企业和管理者，彰显其在领域内卓越、领先、突破的形象及取得的卓越成绩，鼓励和推动电子产业的发展，促进全球电子技术的创新和应用。

　　SolidGaN ISG3202LA是英诺赛科针对 48V 数据中心、48V 汽车电子、马达驱动等应用领域开发的一款高集成度100V 氮化镓半桥合封氮化镓芯片。采用 LGA 5X6.5 封装，内部集成了2颗 100V 氮化镓，1颗半桥驱动器以及若干电容电阻，能够极大地简化系统 BOM，缩小方案尺寸，同时提供高效率，高性能和高功率密度性能。

　　当前，英诺赛科的 SolidGaN 合封系列产品已覆盖100V和700V电压范围。合封氮化镓能够极大简化系统成本，为多种电源适配器、LED驱动、马达驱动、太阳能微型逆变器、数据中心及汽车电子领域提供更简化的系统与更高效的性能支持。

　　关于英诺赛科：英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。采用IDM全产业链商业模式，并在全球范围内首次实现了先进的8英寸氮化镓量产工艺，是全球氮化镓行业的龙头企业。英诺赛科已连续两年入选胡润研究院《全球独角兽榜》、先后荣获2023年江苏省科学技术厅颁发的江苏省氮化镓新型器件与集成电路工程技术研究中心、2023年创新珠海科学技术奖励委员会颁发的珠海市科技进步奖一等奖、2022年中国半导体行业协会颁发的第十五届中国半导体创新产品和技术等荣誉。