燕东微2024年中报出炉，硅光芯片实现量产突破

　　8月24日，燕东微(688172)发布了其2024年半年度报告，数据显示公司在研发投入方面持续保持强劲增长，尤其在硅光新领域取得了显著进展，彰显出公司在技术创新和市场拓展方面的卓越实力。在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微始终坚持创新为核心的发展战略，不断加大新品研发投入，积极推动产品更新换代。近年来，公司持续增加的研发投入开始显现成效，2024年上半年更是实现了硅光工艺平台产品的量产，这一里程碑式的成就标志着公司在硅光技术领域的重大突破。

　　研发投入持续加大，核心竞争力不断增强

　　在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微始终坚持创新为核心的发展战略，不断加大新品研发投入，积极推动产品更新换代。近年来，公司持续增加的研发投入开始显现成效，2024年上半年更是实现了硅光工艺平台产品的量产，这一里程碑式的成就标志着公司在硅光技术领域的重大突破。硅光产品凭借其集成度高、成本低、功耗低等优势，已成功应用于光通信、光互连、激光雷达等多个关键领域。

　　上半年，燕东微的研发投入力度进一步加大，研发费用达到11332.63万元，同比增长16.56%。这一显著的增长不仅体现在财务数字上，更转化为实实在在的研发成果。上半年，公司新增获得专利21个，其中发明专利8个，累计拥有专利数达到399个，发明专利85个，为公司的技术创新和产品升级提供了坚实保障。

　　在研发强度的推动下，燕东微的产品应用领域不断拓展。除了在新能源汽车、工业控制、消费电子等传统应用领域保持长期稳定的供货外，射频功率器件产品也成功应用于射频广播、移动无线电、射频能源以及工业、科研、医疗等多个具有战略重要性的行业领域。随着产品线的丰富和应用市场的拓展，燕东微的市场地位将进一步巩固和提升。

　　硅光工艺全面提升，优势地位持续巩固

　　基于持续的研发投入，燕东微在硅光工艺技术上实现了重大突破。公司拥有自主研发的SiN硅光工艺技术，该技术通过化学气相淀积(CVD)及复杂图形的光刻与刻蚀技术，实现了无裂纹的化学计量Si3N4薄膜的淀积和低侧壁粗糙度刻蚀，波导损耗达到行业先进水平。这一技术的成功应用，使得燕东微在光通信、光互连、激光雷达等产品的规模化量产上取得了显著成效。

　　不仅如此，燕东微在SiN硅光工艺平台方面取得了关键性突破，成功开发了5款新产品并顺利转入量产阶段，月产能达到1000片，且产品良率高达95%以上，实现了稳定供货。同时，公司在8英寸相关硅光产品方面也实现了市场化销售，8英寸SiN工艺平台已实现量产，8英寸SOI工艺平台也完成了部分关键器件的开发。此外，12英寸硅光关键工艺的开发也取得了良好市场反响，为公司未来在硅光领域的持续发展奠定了坚实基础。

　　展望未来，燕东微将继续深耕硅光芯片领域，加大科研投入，推动技术创新与产业升级。公司将积极拓展产品应用领域，持续扩大市场规模，不断提升产能。随着一系列战略举措和技术突破的实施，燕东微的未来发展将更加稳健和可持续，助力公司在激烈的市场竞争中保持领先优势。